第一部【企業情報】

第1【企業の概況】

1【主要な経営指標等の推移】

(1)連結経営指標等

回次

第21期

第22期

第23期

第24期

第25期

決算年月

2021年2月

2022年2月

2023年2月

2024年2月

2025年2月

売上高

(千円)

6,606,974

8,394,851

経常利益又は経常損失(△)

(千円)

766,288

230,366

親会社株主に帰属する当期純損失(△)

(千円)

422,303

2,703,613

包括利益

(千円)

273,688

2,458,068

純資産額

(千円)

7,610,426

5,412,882

総資産額

(千円)

19,251,711

18,206,085

1株当たり純資産額

(円)

691.54

482.09

1株当たり当期純損失(△)

(円)

41.58

243.91

潜在株式調整後1株当たり当期純利益

(円)

自己資本比率

(%)

39.5

29.7

自己資本利益率

(%)

5.5

41.5

株価収益率

(倍)

営業活動による

キャッシュ・フロー

(千円)

953,774

885,164

投資活動による

キャッシュ・フロー

(千円)

6,142,884

1,544,831

財務活動による

キャッシュ・フロー

(千円)

7,300,495

1,277,677

現金及び現金同等物の期末残高

(千円)

1,626,592

2,239,942

従業員数

(名)

395

402

(注)1.第24期より連結財務諸表を作成しているため、それ以前については記載しておりません。

2.潜在株式調整後1株当たり当期純利益については、潜在株式は存在するものの1株当たり当期純損失であるため記載しておりません。

3.株価収益率については、親会社株主に帰属する当期純損失を計上しているため記載しておりません。

 

(2)提出会社の経営指標等

回次

第21期

第22期

第23期

第24期

第25期

決算年月

2021年2月

2022年2月

2023年2月

2024年2月

2025年2月

売上高

(千円)

3,579,619

4,756,708

5,752,663

5,204,680

6,920,845

経常利益又は経常損失(△)

(千円)

322,887

598,991

687,871

481,266

403,440

当期純利益又は当期純損失(△)

(千円)

310,458

495,740

557,395

182,507

3,271,908

持分法を適用した場合の投資利益

(千円)

資本金

(千円)

405,500

1,695,621

1,737,696

3,177,014

3,307,277

発行済株式総数

(株)

3,781,500

4,902,900

4,979,400

11,005,525

11,228,823

純資産額

(千円)

1,511,637

4,587,430

5,228,132

7,924,664

4,913,234

総資産額

(千円)

6,565,894

8,710,998

10,791,540

18,354,094

16,506,885

1株当たり純資産額

(円)

199.87

467.83

525.00

720.09

437.59

1株当たり配当額

(円)

(うち1株当たり中間配当額)

(-)

(-)

(-)

(-)

(-)

1株当たり当期純利益又は1株当たり当期純損失(△)

(円)

41.13

52.53

56.50

17.97

295.18

潜在株式調整後1株当たり当期純利益

(円)

46.38

51.17

自己資本比率

(%)

23.0

52.7

48.4

43.2

29.8

自己資本利益率

(%)

23.0

16.3

11.4

2.8

51.0

株価収益率

(倍)

43.78

75.40

配当性向

(%)

営業活動による

キャッシュ・フロー

(千円)

568,296

443,381

119,255

投資活動による

キャッシュ・フロー

(千円)

300,636

849,165

1,732,255

財務活動による

キャッシュ・フロー

(千円)

241,384

1,375,950

1,121,372

現金及び現金同等物の期末残高

(千円)

1,171,360

2,146,368

1,438,024

従業員数

(名)

160

209

264

300

302

株主総利回り

(%)

185.2

125.2

52.2

(比較指標:東証グロース市場250指数)

(%)

(-)

(-)

(103.2)

(106.4)

(90.1)

最高株価

(円)

10,300

10,000

(4,580)

4,255

3,000

最低株価

(円)

3,990

4,165

(4,200)

2,227

1,200

(注)1.第21期から第23期までの持分法を適用した場合の投資利益については、関連会社が存在しないため記載しておりません。

2.当社は、2020年11月9日開催の取締役会決議に基づき、2020年11月27日付で普通株式1株につき500株の株式分割、2022年12月14日開催の取締役会決議に基づき、2023年3月1日付で普通株式1株につき2株の株式分割を行っておりますが、第21期の期首に当該株式分割が行われたと仮定して1株当たり純資産額、1株当たり当期純利益又は1株当たり当期純損失及び潜在株式調整後1株当たり当期純利益を算定しております。

3.1株当たり配当額及び配当性向については、配当を行っていないため記載しておりません。

 

4.第21期の潜在株式調整後1株当たり当期純利益については、潜在株式は存在するものの、当社株式は非上場であり、期中平均株価が把握できないため、記載しておりません。

5.第24期及び第25期の潜在株式調整後1株当たり当期純利益については、潜在株式は存在するものの1株当たり当期純損失であるため記載しておりません。

6.当社は、2021年4月5日付で東京証券取引所マザーズ市場に上場したため、第22期の潜在株式調整後1株当たり当期純利益については、新規上場日から第22期末日までの平均株価を期中平均株価とみなして算定しております。

7.第21期の株価収益率については、当社株式が非上場であるため記載しておりません。また第24期及び第25期の株価収益率については、当期純損失を計上しているため記載しておりません。

8.第24期より連結財務諸表を作成しているため、第24期以降の持分法を適用した場合の投資利益、営業活動によるキャッシュ・フロー、投資活動によるキャッシュ・フロー、財務活動によるキャッシュ・フロー及び現金及び現金同等物の期末残高は記載しておりません。

9.従業員数は、当社から他社への出向者を除き、正社員、パート社員、短時間労働者契約社員を含む就業人員数であります。なお、臨時従業員の総数は、従業員数の100分の10未満であるため記載を省略しております。

10.当社は、2021年4月5日付で東京証券取引所マザーズ市場に上場したため、第21期及び第22期の株主総利回り及び比較指標については記載しておりません。

11.最高株価及び最低株価については、2022年4月3日以前は東京証券取引所マザーズ市場、2022年4月4日以降は東京証券取引所グロース市場における株価を記載しております。なお、当社は、2021年4月5日付で東京証券取引所マザーズ市場に上場したため、それ以前の株価については記載しておりません。また、第23期の株価については、2024年3月1日付で行いました株式分割による権利落ち後の最高株価及び最低株価を( )内に記載しております。

12.「収益認識に関する会計基準」(企業会計基準第29号 2020年3月31日)等を第23期の期首から適用しており、第23期以降に係る主要な経営指標等については、当該会計基準等を適用した後の指標等となっております。

 

2【沿革】

年月

概要

2000年10月

山梨県北巨摩郡小淵沢町(現 山梨県北杜市小淵沢町)に創業者の研究成果を世の中に還元することを目的として株式会社オキサイドを設立

2001年5月

Super LN/LT新製品開発に成功 国際展示会で販売開始

2003年9月

東芝セラミックス株式会社(現 クアーズテック株式会社)と資本・業務提携

2005年6月

本社及び第1工場を山梨県北杜市武川町(現所在地)に移転

2005年12月

三菱電線工業株式会社より光デバイス事業買収

2006年6月

株式会社ニコンと資本・業務提携

2006年8月

米国KLA-Tencor Corporation(現 KLA Corporation)と資本・業務提携

2007年10月

エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社と資本・業務提携

2008年3月

山梨県北杜市に第2工場竣工

2008年10月

第1・2工場が、ISO9001認証取得

2008年12月

レーザーテック株式会社と資本提携

2010年9月

株式会社マグネスケールよりレーザ事業買収

2010年10月

神奈川県横浜市港北区に横浜事業所を設置

2012年4月

久保田研究所を設立

2013年2月

266nmCWレーザ、ニューラインナップ発売開始

2013年4月

光学的ノイズ(スペックルノイズ)測定器であるDr.SPECKLE、ニューラインナップ発売開始

2015年3月

日立化成株式会社(現 株式会社レゾナック)よりシンチレータ単結晶事業買収、

山梨県北杜市に第3工場取得

2016年6月

横浜事業所を神奈川県横浜市保土ヶ谷区(現所在地)に移転

2016年6月

国際電気標準会議より、スペックル測定方法の国際標準取得

(発行No.IEC 62906-5-2:2016 Laser display devices -Part 5-2)

2016年8月

株式会社日立ハイテクノロジーズ(現 株式会社日立ハイテク)と資本・業務提携

2018年8月

米国Lumeras LLCから真空紫外レーザ事業買収

2019年6月

デンマークNKT Photonics A/Sとフェムト秒レーザの開発・製造で業務提携

2020年2月

LASEA S.A.とレーザ微細加工機の販売で業務提携

2020年4月

久保田研究所をレーザ事業部に統合

2021年4月

東京証券取引所マザーズに株式を上場

2021年10月

株式会社UJ-CrystalとSiC単結晶の量産化に向けた研究開発で資本業務提携

2022年3月

山梨県北杜市に第6工場取得

2022年4月

東京証券取引所の市場区分の見直しにより、同取引所グロース市場に移行

2022年5月

LQUOM株式会社と長距離量子通信機器の実用化に向けた研究開発で資本業務提携

2022年6月

株式会社日立ハイテクとの資本提携は解消(業務提携は継続)

2023年3月

Raicol Crystals Ltd.(イスラエル)を子会社化

2023年3月

山梨県北杜市に第4工場(第1期工事)と第5工場竣工

2024年10月

株式会社オキサイドパワークリスタルを設立(現連結子会社)

2024年10月

株式会社JSファンダリとSiC単結晶の量産化に向けた製造で業務提携

 

3【事業の内容】

 光の時代といわれる21世紀。光技術の可能性を追求し、その成果を少しでも早く少しでも多く社会に還元したい。それが創業以来変わらない私たちの願いです。当社グループは、ミッションとして、「豊かな未来を光の技術で実現する」を掲げております。

 当社グループは、当社及び連結子会社2社(Raicol Crystals Ltd.(以下、Raicol社という。)及び株式会社オキサイドパワークリスタル(以下、オキサイドパワークリスタル社という。)で構成され、単結晶(*1)、光部品(光デバイス)、レーザ光源、光計測装置などの光学関連製品を、主に光を使った計測分野の装置メーカーや光学製品メーカー向けに開発・製造・販売しております。例えば、当社グループが製造・販売する放射線を検出するシンチレータ(*2)単結晶は、がんの診断用のPET検査装置に使用されており、当社グループのレーザ光源は、半導体製造に使用されるシリコンウエハの品質検査装置に使用されております。

 2000年の創業以来、当社グループは単結晶・レーザのグローバルニッチトップカンパニー(*3)をめざし、「研究成果を社会に還元し、キーマテリアル(*4)を世界に向けて発信する」、「顧客へマテリアルソリューション(*5)を提供し、社会の発展に貢献する」、「単結晶を核とした製品を開発し、未来の市場機会を創造し続ける」という経営理念の下、光学分野のバリューチェーン(*6)の川上に位置する単結晶の開発・製造から事業を開始し、単結晶開発技術を生かしつつ、光学分野での川下の製品群(光部品、レーザ光源、光計測装置)へと展開してまいりました。

 これまで光学分野での先端技術を継続的に蓄積、保有し、その独創性及び競争優位性の確立をめざしてまいりました。単結晶分野において、当社グループは、FZ法(Floating Zone Method)、CZ法(Czochralski Method)、VB法(Vertical Bridgeman Method)、TSSG法(Top Seeded Solution Growth Method)、DCCZ法(Double Crucible CZ Method)、KY法(Kyropoulos Method)、EFG法(Edge-defined Film-fed Growth Method)、フラックス法(Flux Method)など、多くの単結晶育成技術及び装置を保有しております。国内外の企業、大学、研究所などから技術、製品への問い合わせ、引き合いをいただいております。2014年には経済産業省の「グローバルニッチトップ100選」(*3)にも選定されております。今後も、当社グループの光学技術は、その応用範囲及び新たな用途の拡張をめざしてまいります。

 2023年3月には、イスラエルのRaicol社を買収し、新たに「宇宙・防衛」、「美容」、「エネルギー」分野へ参入いたしました。また、2024年12月には、オキサイドパワークリスタル社へパワー半導体向け材料及び関連製品の研究開発・製造販売等に関する事業を吸収分割いたしました。オキサイドパワークリスタル社では、従来の昇華法に比べ、原理的に欠陥が少なく高品質な単結晶育成が可能な溶液法SiC単結晶の事業化に取り組んでおります。

 なお、当社グループは、光学事業の単一セグメントでありますが、製品の用途から「新領域事業」、「半導体事業」、「ヘルスケア事業」の3つの事業に区分しております。

 「新領域事業」において単結晶技術、光学分野でのコア技術の新用途・新製品を立案・開発し、試作・開発ベースでの小規模案件を中心にビジネスを進めております。「新領域事業」での開発技術であり成果が事業化し、量産化を確立したのが「半導体事業」と「ヘルスケア事業」です。

 こうした展開は、当社グループがこれまでに国内外の企業や大学等から埋れた技術や事業を買収し、製品化・事業化して蓄積したノウハウにより、可能となったと考えております。

 また、工学・理学系の博士号・修士号を保有する技術者が、研究開発及び製造に従事する役職員の23%を占め、研究開発型の事業会社として成長していることなども当社グループの特徴であり、独創性及び競争優位性の源泉と考えております。

 各事業の概要は次のとおりです。

 

新領域事業

 当事業は、国内外の光計測機器/光学製品メーカー及び大学等研究機関に単結晶、光部品、レーザ光源及び光学測定装置を開発、製造、販売しております。当事業には、Raicol社およびオキサイドパワークリスタル社の事業も含まれております。当連結会計年度における当事業の売上高は、2,464百万円です。同時に、当社グループのコア技術である単結晶技術/光学技術を活用し、さまざまな顧客ニーズへの対応、光学分野での問題解決策の提供及びそうしたプロセスの中で有望な新用途/新製品をインキュベートしております。

 国内外の展示会、学会への出展、当社グループのホームページへのアクセスなどを通じて、研究開発/試作の受託を重ねております。また、当社グループのコア技術である単結晶技術や光学技術を活用し、さまざまな顧客ニーズへの対応や問題解決策を提供しております。これらの活動が、新用途/新領域のビジネスに繋がり、当社グループの将来ビジネスへのアンテナ、種まきの機能を担っております。当事業においてすでに商品化段階に至った主な製品は、以下のとおりです。

製品

製品の説明

主な用途

単結晶・デバイス

波長変換(*7)部品(デバイス)

波長変換部品(デバイス)は、光学単結晶を用いてレーザ光の波長を他の波長へ変換する(例えば、赤外光を可視光や紫外光に変換することが挙げられます。)製品です。

量子分野では、もつれ光子対の発生に利用されます。

医療

理化学

情報家電

工業用加工

セキュリティ

娯楽

量子

GPS(Ce:Gd2Si2O7)単結晶

放射線が入射すると発光するシンチレータとしての特性を持つ単結晶です。高発光量、高エネルギー分解能等の特長を有しております。高温環境でも特性劣化が小さいため、広い分野での応用が期待されます。

放射線汚染モニタリング

セキュリティ

石油探査

医療

アイソレータ用単結晶

一方向のみ光が透過する光学部品である光アイソレータに搭載される単結晶です。レーザ機器のレーザ光出射口は、外部からレーザ機器に光が入ると損傷したり、不安定になります。レーザ光出射口に光アイソレータを設置することにより、外部からの光を遮断し、不具合を防ぐことが可能となります。

5G

データセンタ通信用デバイス

GaN(*8)用基板単結晶(SAM(*9))

GaNをエピタキシャル成長させる際に基板となる単結晶です。GaNと基板の格子定数及び熱膨張率のミスマッチが小さいため、高品質のGaN薄膜が得られます。

可視光レーザ

高周波デバイス

パワー半導体(*10)

レーザ

114nmレーザ

真空紫外光と呼ばれる紫外線の中で最も波長の短い光を発生するレーザ装置です。単結晶に加えガスを用いた波長変換技術を利用して、赤外光を114nmに変換しております。このように波長が短くエネルギーの高い光は、最先端の研究開発分野で材料の分析に有効です。特に、量子コンピューティング等への利用が期待される新材料の研究開発に利用されております。

光電子分光

光電子顕微鏡用深紫外CWレーザ

半導体プロセスにおけるパターン検査に利用可能なレーザ光電子顕微鏡が東京大学物性研究所によって開発されており、光電子を発生するための深紫外レーザ光源として当社の深紫外CWレーザが使用されています。

半導体検査

フェムト秒レーザ

深紫外光のレーザ光を短いパルスで照射することにより、非加熱加工を行います。これにより、バリやクラックが発生しない高精度な微細加工が可能になります。

微細加工

 

 

製品

製品の説明

主な用途

測定器

光学的ノイズ(スペックルノイズ)測定器

スペックルノイズは、レーザを利用したディスプレイ(レーザ光を投影した画面)において発生する、画質の劣化要因のひとつです。例えば、レーザ光を投影した画面に映る画像が、荒い画像に見えること等が挙げられます。当社グループは、スペックルノイズを定量的に表すことができる測定器を開発し、製造・販売しております。この装置は、国際標準に認定されたスペックルノイズ測定器であり、ディスプレイメーカーは画質の評価に使用しております。

プロジェクター

照明

量子

量子もつれ光子対発生モジュール

量子もつれは、2つの光子の状態が強く相関し、一方の光子の状態が決まると他方の光子の状態が瞬時に決まる現象です。この特性は量子暗号通信や量子コンピューティングに利用されています。量子もつれ光子対発生モジュールは、光ファイバを入出力とし高い効率で量子もつれ光子対を発生可能なモジュールです。

量子通信

 

 NoT(Network of Things)やAI(人工知能)のさらなる活用により、クラウドを通じた工作機器の連携と自動化/無人化がさらに進むと考えられます。このようなイノベーションを支える半導体の微細化や医療機器の高度化等に伴い、需要が高まっているレーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発を推進してまいります。また、量子コンピューターの開発により既存の暗号技術は脅威にさらされることになります。この脅威に対抗するため量子暗号通信技術の開発が世界中で進展しております。さらに、量子コンピューター等の量子デバイスを繋ぐ量子インターネットの研究開発も注目されております。当社は、量子通信分野の最先端研究者からのご要望に基づき、量子もつれ光子対を高効率で生成することが可能な量子もつれ光子対発生モジュールを開発し、実用性の高い製品として販売を開始しました。さらに、当社の波長変換デバイスが量子コンピューティング用途においても研究開発に利用される等、量子通信関連分野での用途が拡大しています。一方、世界規模のテーマであるカーボンニュートラル実現に向け、デジタルインフラの省エネ化・高性能化のキーマテリアルであるパワー半導体向けSiC(*12)ウエハの、溶液法(*13)による超高品質化及び大口径化の開発や家電向け低コストβ型酸化ガリウム(*14)基板の開発にも注力してまいります。

 

半導体事業

 当事業は、半導体ウエハ(*15)の検査装置メーカー向けの単結晶・レーザの開発・製造・販売を行っております。当連結会計年度における当事業の売上高は、4,703百万円です。当社グループの単結晶のうち、非線形光学効果(*16)の強い単結晶及びその単結晶を搭載したレーザは、波長や出力をはじめとする各種性能・品質の観点から、販売先の最新機種に搭載されております。

 半導体製造工程の「前工程」と呼ばれるウエハ処理工程では、投入するシリコンウエハの品質検査が半導体チップの歩留まり管理上不可欠であり、専用のウエハ検査装置が利用されております。当社グループの単結晶と単結晶を搭載したレーザは、そのウエハ検査装置に搭載されております。半導体の微細化に伴い、検査装置に搭載する単結晶及びレーザも、次世代製品の開発が常に求められております。当社グループは、こうした市場の要求に対し、材料工学、光学などの観点から常に開発・提案を行い、あるいは、一部製品に関しては特許権者からのライセンスを受け、次世代製品への取り組みを継続しております。

 拡大する半導体市場の微細化への要求については、光学分野では短波長化と高出力化が重要となります。当社グループの単結晶、レーザ光源は、波長変換による短波長化(266nm)と2W以上の高出力化の特徴を有しております。その結果、単結晶については、2006年に開発を受託、その成功を受けて、2011年から量産へ、またレーザは、2010年に株式会社マグネスケールより事業を買収し生産を開始しました。その後、2011年に開発を受託、その成功を受けて2016年から量産に移行しております。顧客の新製品投入に合わせてこうした「開発」→「量産」のプロセスが繰り返されております。

 一方、顧客が製造販売する検査装置においては、エンドユーザーである世界の半導体工場にて昼夜連続での稼働が要求事項となっております。その結果、搭載された単結晶、レーザはその使用に応じて定期的なメンテナンス需要が発生します。メンテナンスの内容は、概ね1〜2年の一定期間ごとに使用に伴って劣化した単結晶や光学ユニットを交換するものです。これらのメンテナンス需要は、ほぼ事前予想が可能なため、景況の山と谷のギャップが激しいと言われる半導体分野での事業としては収益安定要素と言えます。加えて、10年以上の長期間稼働が求められるレーザの新規出荷売上に従い、累積的に増えることが見込まれるリカーリングの性質を持つ売上収益となります。当連結会計年度におけるメンテナンス売上高は、当事業売上の16%程度を占めております。

 

ヘルスケア事業

 当事業は、がんの診断に使用されるPET検査(*17)装置に搭載されるシンチレータ単結晶の開発、製造、販売を行っております。具体的には、製造したシンチレータ単結晶を加工した各辺数mm角の直方体(PET用素子と呼びます。その素子を数万本、PET検査装置内に配列して使用します。)の形状で国内外のPET検査装置メーカーに販売しております。当連結会計年度における当事業の売上高は、1,226百万円です。当社グループのシンチレータ単結晶は、継続的な品質向上とコスト低減の実績及び品質管理体制の構築により、既に主流となっている全身用TOF-PET検査装置(*18)に採用されております。

 また、当社グループのシンチレータ単結晶は、乳房検査専用PET検査装置や、重粒子線を用いたがん治療中の粒子線位置をリアルタイムで確認することができるOpen-PET検査装置に採用されております。Open-PET検査装置は、従来のがん診断だけでなく、治療にも使われる装置として、国内においては量子科学技術研究開発機構を中心として研究が進んでいるものです。

 加えてPET検査装置は、がんの診断以外にアルツハイマー型認知症(*19)診断への適用範囲拡大が見込まれており、当社グループでも用途拡大に対応すべく研究開発活動を進めております。認知症は、国内外の高齢化により増加傾向が見られることに加え、昨年、アルツハイマー型認知症の治療薬が日本国内においても薬事承認され、併せて、その原因物質であるアミロイドβのPET診断も保険適用となったことから、今後、治療薬の普及に伴い、頭部専用PETによる診断への需要が高まってくることが期待されます。(出所:World Alzheimer Report 2021)

 

[事業系統図]

以上述べた事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。

 

0101010_001.png

 

<用語解説>

(*1)単結晶

・原子、分子が規則正しく配列している固体を結晶と総称します。その結晶の中でも、物質内のどの部分においても原子、分子配列の向きがまったく同一である物質を単結晶と呼びます。

・結晶に、電気信号を加えたり、圧力をかけたり、光を当てることにより、各結晶の持つ特性が現れますが、単結晶の場合は、その特性(例えば、光を当てることにより光の波長を変換したり、電気信号を加えることにより光の強度を調整すること。)が強く現れます。この特性を活用して、産業分野で単結晶応用製品が実用化されております。

 

(*2)シンチレータ

放射線が当たると微弱な光を出す物質をいいます。

 

(*3)グローバルニッチトップカンパニー

「グローバルニッチトップ100選」は経済産業省が2013年度より継続している事業です。「グローバルニッチトップ企業」の定義は、「昨今の産業構造の変化や、求められるニーズに迅速に対応するため、大企業や主要業界団体だけでなく、ニッチ分野(比較的小規模な市場や潜在的ニーズはあるが、まだ事業の対象として考えられていないような分野)において高い世界シェア(占有率)を有し、優れた経営を行っている中堅・中小企業」です。経済産業省として、認定と顕彰を通じて、対象企業の知名度向上や海外展開を支援するとともに、新たにグローバルニッチトップを目指す企業が経営上の羅針盤として活用することが目的となっております。

 

(*4)キーマテリアル

世の中の役に立つ材料を意味します。

 

(*5)マテリアルソリューション

材料と光に関する問題解決を意味します。

 

(*6)バリューチェーン

単結晶、ウエハ、チップ、光部品、レーザ光源、計測装置の光学分野における川上から川下に至る一連の製品供給プロセスを意味します。

 

(*7)波長変換

波長(周波数や色とも表現されます)は光の重要な性質を表すものであり、波長変換はレーザ光を元々の波長から紫外線や赤外線の領域に拡げる技術です。波長を変換する手法は数多くありますが、原理はレーザ光という強い光と物質の相互作用による非線形光学効果(*16)を用いております。

 

(*8)GaN

Ⅲ属元素とⅤ属元素が1:1の割合で結合した化合物半導体の一種で、融点が高く窒素の蒸気圧が高いため、シリコン(Si)のように融液から大型の単結晶を作製することが困難です。そのため、気相法によって薄膜状の単結晶が作製されます。最近では、GaN半導体は、光デバイスだけでなく、パワーデバイスや高周波デバイスとしても着目されており、そのために高品質なGaN単結晶が必要とされております。

 

(*9)SAM

ScAlMgO4の化学式で表される、スカンジウム(Sc)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)の三種類の金属元素を1:1:1の等しい割合で含む酸化物です。

 

(*10)パワー半導体

パワー半導体は、電車や電気自動車、家電製品、照明器具、電磁調理器、コンピューターなど身近なところで使用されております。パワー半導体は、これらの機器の電源制御部品として、直流を交流に変換、交流を直流に変換、周波数変換などを担います。

 

(*11)量子もつれ光子対光源モジュール

特別な光源から「量子もつれ」と呼ばれる特殊な状態の光子のペアを生成する装置です。量子もつれ光子対とは、2つの光子の間に古典論では説明できない相関が存在する状態であり、量子力学の不可解さを示す例として知られております。この量子もつれ光子対は、それぞれの光子がたとえどんなに離れた場所にいても一方を測定することでもう一方の状態が瞬時に確定するという性質を持っております。この性質を利用し、絶対に破ることが出来ない量子暗号通信や高い測定感度が実現できる量子センシングなどの重要な技術が開発されております。「量子もつれ」に関する研究に対し、2022年にノーベル物理学賞が授与されました。

 

(*12)SiC

シリコン(Si)と炭素(C)から成る化合物半導体の一種です。SiCパワーデバイスは、従来のシリコンパワーデバイスよりも高い電圧や温度で動作できるため、電力をより効率的に扱うことが可能です。電気自動車や太陽光発電などの分野で、性能向上に貢献しております。

 

(*13)溶液法

溶媒に溶け込んでいる溶質を種結晶上に析出させ結晶成長させる方法です。SiCの場合、炭素(C)製坩堝内にシリコン(Si)を投入、加熱して液体とし、坩堝材のCがSi溶媒中に溶け込みSiC溶質が作られます。そのSiC溶質をSiC種結晶に析出させ、SiC単結晶を成長させます。従来の昇華法に比べ、原理的に欠陥が少なく高品質な単結晶育成が可能な方法です。

 

(*14)β型酸化ガリウム

β-Ga2O3の化学式で表されるガリウム(Ga)と酸素(O)から成る半導体で、特に高い耐電圧性を持っております。融液成長法により高品質な単結晶基板を安価に製造することが可能です。この材料は、パワー半導体として使用され、電力を効率的に制御し変換するのに役立ちます。β型酸化ガリウムパワーデバイスが実用化されれば、家電や電気自動車などのパワーエレクトロニクス機器のさらなる低損失・低コスト化が期待されます。

 

(*15)半導体ウエハ

半導体素子の製造材料です。一般的にはシリコンを素材とするインゴット(円柱形の塊)を、0.5mm~1mm程度の厚さにスライスした円盤状の板を指します。半導体の主要な応用例はスマートフォン等です。

 

(*16)非線形光学効果

光を受けた物質の内部では、通常の弱い光の場合、光の吸収や散乱などの現象が光の強度に比例して現れますが、レーザ光のような強い光の場合、比例関係から外れた新たな現象が発現します。その効果を非線形光学効果と呼びます。

 

(*17)PET検査

被検者に、がん患部に集まる薬剤を注射し、薬剤が放つ放射線を検出器でとらえて病巣を探るがんの検査方法です。従来のX線検診、CT検診では困難であった早期のがん細胞まで発見することが可能で、全身を一度に診断できることも特長です。

 

(*18)全身用TOF-PET検査装置

最先端のPET検査装置のことで、薬剤が放つ放射線の僅かな検出時間差を計測することで、高精細な診断画像を得ることができます。高速なシンチレータが要求され、当社グループのLGSOシンチレータが搭載されているPET装置の多くがTOF-PETです。

 

(*19)アルツハイマー型認知症

脳が少しずつ萎縮していき、認知機能が低下していく病気で、認知症の半分以上はアルツハイマー型認知症です。

 

 

4【関係会社の状況】

名称

住所

資本金

主要な事業の内容

議決権の所有

割合(%)

関係内容

(連結子会社)

Raicol Crystals Ltd.

(注)1、3

イスラエル

ロッシュ・ハ-アイン市

134,350新シェケル

非線形光学結晶及び電気光学デバイスの研究、開発、製造、販売

100

製品開発及びマーケティングの協働

(連結子会社)

株式会社オキサイドパワークリスタル

山梨県北杜市

10百万円

パワー半導体向け材料及び関連製品の研究開発、製造販売等

100

当社製品の研究開発、製造販売等

(注)1.特定子会社であります。

2.有価証券届出書または有価証券報告書を提出している会社はありません。

3.Raicol Crystals Ltd.については、売上高(連結会社相互間の内部売上高を除く。)の連結売上高に占める割合が10%を超えております。

(1)

売上高

1,575

百万円

(2)

経常損失(△)

△5

百万円

(3)

当期純利益

84

百万円

(4)

純資産額

2,069

百万円

(5)

総資産額

5,583

百万円

 

 

5【従業員の状況】

(1)連結会社の状況

2025年2月28日現在

従業員数(名)

402

(注)1.従業員数は、正社員、パート社員、有期契約社員を含む就業人員数であります。なお、臨時従業員の総数は、従業員数の100分の10未満であるため、記載を省略しております。

2.当社グループは、光学事業の単一セグメントであるため、セグメント別の従業員数の記載はしておりません。

 

(2)提出会社の状況

 

 

 

2025年2月28日現在

従業員数(名)

平均年齢(歳)

平均勤続年数(年)

平均年間給与(千円)

302

40.6

4.7

5,439

 

事業部門の名称

従業員数(人)

レーザ事業部

118

コアテクノロジ事業部

73

シンチレータ事業部

50

量子センター

4

全社(共通)

57

合計

302

(注)1.従業員数は、正社員、パート社員、有期契約社員を含む就業人員数であります。この中には子会社への出向者(14名)は含んでおりません。なお、臨時従業員の総数は、従業員数の100分の10未満であるため、記載を省略しております。

2.平均年齢及び平均勤続年数は(注)1の就業人員数から算定しております。

3.平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。

4.平均年間給与は、中途退職者及び中途入社者を除く正社員のみで算定しております。

5.全社(共通)は、営業部門、総務及び経理等の管理部門の従業員であります。

6.当社は、光学事業の単一セグメントですが、製品の用途から事業が区分されているため、事業部門別の従業員数を記載しております。

 

(3)労働組合の状況

当社グループにおいて労働組合はありませんが、労使関係については円滑な関係にあり、特記すべき事項はありません。

 

(4)管理職に占める女性労働者の割合、男性労働者の育児休業取得率及び労働者の男女の賃金の差異(注)1.

①提出会社

当事業年度

管理職に占める女性労働者の割合(%)

   

男性労働者の育児休業取得率(%)

   (注)2.

労働者の男女の賃金の差異(%)

(注)3.4.5.

全労働者

正規雇用労働者

パート・有期契約労働者

12.1

66.6

72.8

80.6

58.4

(注)1.対象期間は2025年2月期(2024年3月~2025年2月)です。

2.「男性の育児休業取得比率」は、「次世代育成支援対策推進法」の規定に基づき、「育児休業をした男性労働者数÷配偶者が出産したものの数×100」の算式で算出したものです。

3.「労働者の男女の賃金の差異」は、「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律」(平成27年法律第64号)(以下、「女性活躍推進法」という。)の規定に基づき、「女性の平均年間賃金÷男性の平均年間賃金×100」の算式で算出したものです。また、平均年間賃金は「総賃金÷人員数」として算出しております。

4.男女の労働時間の違い及び女性の管理職比率が主な差異要因です。制度上の格差はありません。

5.正規雇用労働者においては、男女の労働時間の違い及び女性の管理職比率が主な差異要因です。また、有期契約労働者は、専門性を持った男性が多く単価が高いが、パートは作業中心の女性が多く単価が低いことが主な差異要因です。制度上の格差はありません。

 

②連結子会社

連結子会社は、「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律」(平成27年法律第64号)及び「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律」(平成3年法律第76号)の規定による公表義務の対象ではないため、記載を省略しております。

 

 なお、「女性活躍推進法」「次世代育成支援対策推進法」に基づく一般事業主行動計画については、第2 事業の状況 2 サステナビリティに関する考え方及び取組において「指標及び目標」を記載しております。